Современные полупроводники состоят из транзисторов на основе кремния, но его использование становится все сложнее по мере уменьшения технологического процесса. Даже на 10-нм уровне он уже представляет сложности, а более тонкие нормы, такие как 2-нм, и вовсе выглядят почти нереализуемыми.
Отказаться от кремния удалось исследовательской группе из Пекина, которая опубликовала результаты создания многослойного 2D GAAFET-транзистора, указывающего на потенциальный переход к использованию оксиселенида висмута (BIOSSE), который демонстрирует гораздо большую гибкость и прочность при создании транзисторов толщиной 1 нм и меньше.
Исследователи отмечают, что новый материал не только позволит сделать транзисторы более тонкими, но и снизит их энергопотребление и повысит производительность. Например, по сравнению с 3-нм техпроцессами от Intel и TSMC, BIOSSE-транзисторы могут быть на 40% быстрее и на 10% экономичнее.